半導(dǎo)體制程已經(jīng)進(jìn)展到了3nm，今年開始試產(chǎn)，明年就將實現(xiàn)量產(chǎn)，之后就將向2nm和1nm進(jìn)發(fā)。相對于2nm，目前的1nm工藝技術(shù)完全處于研發(fā)探索階段，還沒有落地的技術(shù)和產(chǎn)能規(guī)劃，也正是因為如此，1nm技術(shù)具有更多的想象和拓展空間，全球的產(chǎn)學(xué)研各界都在進(jìn)行著相關(guān)工藝和材料的研究。
上周，IBM和三星公布了一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設(shè)計，被稱為垂直傳輸場效應(yīng)晶體管 （Vertical Transport Field Effect Transistors，VTFET）。當(dāng)前的處理器和SoC，晶體管平放在硅表面上，然后電流從一側(cè)流向另一側(cè)。相比之下，VTFET彼此垂直，電流垂直流動。該技術(shù)有望突破1nm制程工藝瓶頸。
IBM和三星表示，這種設(shè)計有兩個優(yōu)點。首先，它可以繞過許多性能限制，將摩爾定律擴(kuò)展到IBM當(dāng)前的納米片技術(shù)之外，更重要的是，由于電流更大，該設(shè)計減少了能源浪費，他們估計VTFET將使處理器的速度比采用 FinFET 晶體管設(shè)計的芯片快兩倍或功耗降低 85%。IBM和三星聲稱，這一工藝技術(shù)有望允許手機一次充電使用整整一周。他們表示，這一工藝還可以使某些能源密集型任務(wù)（包括加密采礦）更加節(jié)能，因此對環(huán)境的影響較小。
IBM 和三星尚未透露他們計劃何時將該工藝技術(shù)商業(yè)化。他們并不是唯一一家試圖突破 1 nm瓶頸的公司。今年5月，臺積電與合作伙伴發(fā)布了1nm工藝技術(shù)路徑；7 月，英特爾表示，其目標(biāo)是在 2024 年之前完成埃級芯片的設(shè)計。該公司計劃使用其新的“英特爾 20A”制程節(jié)點和 RibbonFET 晶體管來實現(xiàn)這一目標(biāo)。
一、臺積電依然是先鋒
近年來，科學(xué)界一直在尋找可以替代硅的二維材料，挑戰(zhàn)1nm以下的制程工藝，但至今未能解決二維材料的高阻、低電流問題。
近些年，在先進(jìn)制程的研發(fā)和商業(yè)化方面，臺積電一直是行業(yè)先鋒。
今年5月，臺積電、中國臺灣大學(xué)（NTU）和麻省理工學(xué)院（MIT）聯(lián)合宣布，1nm芯片研發(fā)取得重大突破。
該突破主要體現(xiàn)在材料方面，使用半金屬鉍（Bi）作為二維（2D）材料的接觸電極，可以大大降低電阻并增加電流。這可以實現(xiàn)接近現(xiàn)有半導(dǎo)體尺寸物理限制的能源效率。該消息是在IBM早些時候宣布其2nm芯片之后發(fā)布的。
每一種新的工藝技術(shù)都會帶來新的挑戰(zhàn)，在這種情況下，關(guān)鍵挑戰(zhàn)是找到合適的晶體管結(jié)構(gòu)和材料。同時，為晶體管供電的晶體管觸點對其性能至關(guān)重要。半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)一步小型化增加了接觸電阻，從而限制了它們的性能。因此，芯片制造商需要找到一種電阻非常低、可以傳輸大電流并且可以用于量產(chǎn)的觸點材料。
使用半金屬鉍作為晶體管的接觸電極可以大大降低電阻并增加電流。目前，臺積電使用鎢互連晶體管，而英特爾使用鈷互連。兩者都有其優(yōu)點，并且都需要特定的設(shè)備和工具。
為了使用半金屬鉍作為晶體管的接觸電極，研究人員不得不使用氦離子束（HIB）光刻系統(tǒng)并設(shè)計一種“簡單的沉積工藝”。這種工藝僅用于研發(fā)生產(chǎn)線，因此還沒有完全準(zhǔn)備好進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
目前，臺積電的 1nm 制程節(jié)點仍處于探索階段，工廠正在嘗試各種選項，也不能保證未來量產(chǎn)時確定使用半金屬鉍。
二、IMEC指向2027
近日，比利時微電子研究中心（IMEC）表示，1nm制程2027年就可實現(xiàn)商業(yè)化，之后的0.7nm預(yù)計將在2029年后實現(xiàn)量產(chǎn)。
IMEC的CEO Luc Van den hove博士在接受采訪時強調(diào)，搭配全新技術(shù)，“摩爾定律要前進(jìn)多少個世代都不是問題。”據(jù)悉，IMEC和ASML合作的EUV設(shè)備研發(fā)工作正在進(jìn)行，日本的 TEL也參與其中，預(yù)計測試設(shè)備有望在2023年初完成，也有企業(yè)打算在2026年投入量產(chǎn)。
此外，IMEC還開發(fā)了一種新方法，可以在采用1nm制程工藝技術(shù)構(gòu)建的芯片中使用金屬互連來減輕焦耳熱效應(yīng)。
IMEC研究人員表示，在對基于鋁的二元化合物的實驗研究中，重點關(guān)注其電阻率，化學(xué)計量的AlCu和Al2Cu薄膜的電阻率低至9.5μΩcm。這些結(jié)果在實驗上支持它們在先進(jìn)的半鑲嵌互連集成方案中用作新導(dǎo)體的承諾，在這些方案中，它們可以與氣隙結(jié)合以提高性能。然而，在這種組合中，焦耳熱效應(yīng)變得越來越重要。這是通過在12層后端（BEOL）結(jié)構(gòu)中結(jié)合實驗和建模工作預(yù)測的。
1nm制程需要在后端最關(guān)鍵的層中引入新的導(dǎo)體材料，如二元和三元金屬間化合物（例如，Al 或 Ru 基），其電阻率低于按比例尺寸的常規(guī)元素金屬（例如 Cu、Co、Mo 或 Ru）。IMEC已經(jīng)通過實驗研究了鋁化物薄膜的電阻率，包括 AlNi、Al 3 Sc、AlCu 和 Al 2 Cu。在20nm 及以上厚度時，所有 PVD 沉積膜的電阻率與 Ru 或 Mo 相當(dāng)或更低。28nm 的 AlCu 和 Al 2膜的最低電阻率達(dá)到 9.5 μΩcmCu – 低于 Cu 的值。
IMEC設(shè)想在先進(jìn)的半鑲嵌集成方案中引入金屬間化合物，包括直接蝕刻可圖案化金屬以實現(xiàn)更高縱橫比的線條。通過在金屬線之間逐漸引入部分或全部氣隙，可以進(jìn)一步改善 RC 延遲。用電隔離氣隙代替?zhèn)鹘y(tǒng)的低 k 電介質(zhì)有望降低按比例尺寸的電容。但是氣隙的導(dǎo)熱性極差，這引起了對操作條件下焦耳熱的擔(dān)憂。
IMEC通過在局部 2 層金屬互連級別執(zhí)行焦耳熱“校準(zhǔn)”測量并通過建模將結(jié)果投影到 12 層 BEOL 結(jié)構(gòu)，量化了這一挑戰(zhàn)。該研究預(yù)測，空氣間隙會使溫度升高 20%。發(fā)現(xiàn)金屬線的密度起著重要作用：較高的金屬密度顯示有助于降低焦耳熱。
“這些研究結(jié)果是改進(jìn)半鑲嵌金屬化方案作為1nm制程互連選項的關(guān)鍵，” IMEC研究員兼納米互連項目總監(jiān) Zsolt Tokei 說。“此外，IMEC正在通過其它選項擴(kuò)展互連路線圖，包括混合金屬化和新的中間線方案，同時解決與工藝集成和可靠性相關(guān)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。”
三、1nm之后將如何發(fā)展？
當(dāng)硅基芯片突破1nm之后，量子隧穿效應(yīng)大增，將形成“電子失控”，使芯片失效。這種情況下，替換芯片的硅襯底，也許是芯片進(jìn)一步發(fā)展的可行出路之一。
電子可以連續(xù)地從一個門流向下一個門，而不是停留在預(yù)期的邏輯門內(nèi)，這在本質(zhì)上使得晶體管不可能處于關(guān)閉狀態(tài)。
由于晶體管由三個端子組成：源極，漏極和柵極。電流從源極流向漏極，并由柵極控制，柵極根據(jù)施加的電壓而進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷電流。
硅和二硫化鉬（MoS2）都具有晶格結(jié)構(gòu)，但是通過硅的電子有效質(zhì)量比二硫化鉬小。當(dāng)柵極長度為5nm或更長時，硅晶體管可以正常工作。
而通過二硫化鉬的電子有更高的有效質(zhì)量，他們的流動可以通過更小的門長度來控制。勞倫斯伯克利國家實驗室對此方案的可行性進(jìn)行了實驗驗證，但該研究仍處于非常早期的階段。
一個14nm制程芯片上有超過10億個晶體管，而伯克利實驗室團(tuán)隊還沒有開發(fā)出一種可行的方法來批量生產(chǎn)新的1nm晶體管，甚至還沒有開發(fā)出使用這種晶體管的芯片。
但是哪怕僅僅作為概念的證明，這里的結(jié)果仍然是非常重要且令人鼓舞的，期待后續(xù)新材料的發(fā)現(xiàn)可以繼續(xù)允許更小的晶體管尺寸，并隨之提高未來芯片的能效。
四、中國也有亮點
目前，全球1nm制程工藝都處于研發(fā)探索階段，距離商業(yè)化生產(chǎn)還要幾年的時間。因此，雖然中國大陸地區(qū)的先進(jìn)制程工藝的商業(yè)化水平不高，但在相關(guān)的理論研究方面也在跟隨國際前沿。例如，湖南大學(xué)在1nm制程工藝的研究方面也有亮眼的表現(xiàn)。
今年6月，湖南大學(xué)的研究團(tuán)隊研發(fā)出了超短溝道的垂直場效應(yīng)晶體管（VFET）。這種晶體管技術(shù)，可以把晶體管做到3nm大小，而溝道長度只需要0.65nm。在以往的制程工藝中，溝道長度代表的就是芯片制程，也就是說0.65nm的溝道長度，就意味著0.65nm制程。
更重要的是，這種垂直場效應(yīng)晶體管不是平行排列的，是垂直排列的。這種縱向的結(jié)構(gòu)具有天然的短溝道特性，半導(dǎo)體溝道位于底電極與頂部電極之間，溝道長度僅取決于材料厚度。
研究人員采用了范德華（vdW）金屬電極集成方法，以二硫化鉬（MoS2）作為半導(dǎo)體溝道的薄層甚至單原子層，也就是說溝道長度，其實就是一層二硫化鉬材料的厚度，所以最短達(dá)到了0.65nm。由于排列方式的不同，無需縮短晶體管與晶體管之間的距離，搭積木式的一層一層往上壘就行了，這就使其不完全依賴于高精度光刻機。不過，該研究只是實驗室的產(chǎn)物，要真正走向量產(chǎn)，還有很長的路要走。
五、向1nm光刻機進(jìn)發(fā)
以上談的都是工藝技術(shù)和材料的研發(fā)，要實現(xiàn)1nm制程的落地，制造設(shè)備，特別是EUV光刻機是必不可少的，這就不得不提到ASML。
目前，ASML的主力出貨EUV光刻機分別是NXE：3400B 和3400C，這兩款機型的數(shù)值孔徑（NA）均為0.33，其中更新一款的3400C 的可用性已經(jīng)達(dá)到90%左右。
ASML預(yù)期，到今年年底，NXE：3600D 將會開始進(jìn)行交付，該設(shè)備的匹配套精準(zhǔn)度提升了，在30mJ/cm2下的晶圓吞吐量達(dá)到160片，相比3400C提高了18%，將會成為未來臺積電和三星3nm制程工藝的主要設(shè)備。
除此之外，ASML還公布了未來的三代光刻機研發(fā)計劃，三款機型的型號分別是NEXT、EXE：5000 和EXE:5200。從EXE：5000開始，將數(shù)值孔徑提高到了0.55。
0.55NA 比0.33NA 有著巨大的提升，包括更高的對比度，圖像曝光成本更低等，是未來發(fā)展的趨勢。
目前，硅片、曝光潔凈室已經(jīng)逼近物理極限，現(xiàn)在的5nm/7nm 光刻機變得十分精密，設(shè)備零件多達(dá)10萬+、體積為40個貨柜。據(jù)悉，1nm 光刻機體積要比現(xiàn)在3nm 的多出一倍。
由于光刻機擁有非常多的零件，需要高精度的裝配，導(dǎo)致光刻機從發(fā)貨到配置/培訓(xùn)的整個流程需要長達(dá)兩年時間。按照這個參考推算，預(yù)計0.55NA 的大規(guī)模應(yīng)用得2025~2026年了，那時，大概率是1nm制程工藝試產(chǎn)時段。
六、結(jié)語
以上這些只是目前行業(yè)內(nèi)進(jìn)行1nm制程相關(guān)研發(fā)工作的代表，并非全部。相信隨著3nm的量產(chǎn)，以及2nm進(jìn)入商業(yè)化階段，1nm制程的研發(fā)會逐步成熟，當(dāng)下的這些實驗室級研究，預(yù)估將有不少會落地到晶圓廠，同時，還將會有更新的工藝和材料技術(shù)誕生。