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半導(dǎo)體設(shè)備需求強(qiáng)勁,有望帶動(dòng)相關(guān)陶瓷部件規(guī)模達(dá)15%

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  • 添加日期:2022年10月21日


        半導(dǎo)體設(shè)備需要大量的精密陶瓷部件。由于陶瓷具有高硬度、高彈性模量、高耐磨、高絕緣、耐腐蝕、低膨脹等優(yōu)點(diǎn),可用作硅片拋光機(jī)、外延/氧化/擴(kuò)散等熱處理設(shè)備、光刻機(jī)、沉積設(shè)備,半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備,離子注入機(jī)等設(shè)備的零部件。半導(dǎo)體陶瓷有氧化鋁、氮化硅、氮化鋁、碳化硅等,在半導(dǎo)體設(shè)備中,精密陶瓷的價(jià)值約占16%左右。精密陶瓷作為第三代新興材料,已經(jīng)被引入到各種裝備之中,充當(dāng)著重要的角色,這為精密陶瓷的應(yīng)用提供了廣闊的用武之地。

 

隨著芯片生產(chǎn)的技術(shù)的不斷提高,半導(dǎo)體制造設(shè)備持續(xù)向精密化、復(fù)雜化演變,高精密陶瓷關(guān)鍵部件的技術(shù)要求也越來(lái)越高。近年來(lái)東莞兆恒機(jī)械持續(xù)為國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體企業(yè)加工了眾多高精密的半導(dǎo)體零部件,如果您也有這樣的加工需求可以聯(lián)系我們。

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其中陶瓷部件包括:

1、氧化鋁(Al?O?)

2、碳化硅(SiC)

3、氮化鋁(AIN)

4、氮化硅(Si3N4)

5、氧化釔(Y2O3

 

氧化鋁:

氧化鋁在半導(dǎo)體裝備中使用最為廣泛的精密陶瓷材料。具有材料結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,機(jī)械強(qiáng)度高,硬度高,熔點(diǎn)高,抗腐蝕,化學(xué)穩(wěn)定性?xún)?yōu)良,電阻率大,電絕緣性能好等優(yōu)點(diǎn),在半導(dǎo)體設(shè)備中應(yīng)用廣泛。

在半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備中,刻蝕機(jī)腔室材料作為晶圓污染的主要來(lái)源,等離子刻蝕對(duì)其影響程度決定了晶圓的良率、質(zhì)量、刻蝕工藝的穩(wěn)定性等。因此,刻蝕機(jī)腔室材料的選用尤為重要。當(dāng)前,主要采用高純Al?O?涂層或Al?O?陶瓷作為刻蝕腔體和腔體內(nèi)部件的防護(hù)材料。

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碳化硅

碳化硅具有高導(dǎo)熱性、高溫機(jī)械強(qiáng)度、高剛度、低熱膨脹系數(shù)、良好的熱均勻性、耐腐蝕性、耐磨耗性等特性。碳化硅在高達(dá)1400℃的極端溫度下,其仍能保持良好的強(qiáng)度。采用碳化硅陶瓷的研磨盤(pán)由于硬度高而磨損小,且熱膨脹系數(shù)與硅晶片基本相同,因而可以高速研磨拋光。

在硅晶片生產(chǎn)時(shí),需要經(jīng)過(guò)高溫?zé)崽幚恚J褂锰蓟鑺A具運(yùn)輸,其耐熱、無(wú)損,可在表面涂敷類(lèi)金剛石(DLC)等涂層,可增強(qiáng)性能,緩解晶片損壞,同時(shí)防止污染擴(kuò)散。此外,碳化硅陶瓷還可應(yīng)用在XY平臺(tái)、基座、聚焦環(huán)、拋光板、晶圓夾盤(pán)、真空吸盤(pán)、搬運(yùn)臂、爐管、晶舟、懸臂槳等。

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氮化鋁

高純氮化鋁陶瓷具有卓越的熱傳導(dǎo)性,耐熱性、絕緣性,熱膨脹系數(shù)接近硅,且具有優(yōu)異的等離子體抗性,產(chǎn)品熱量分布均勻。可應(yīng)用于晶片加熱的加熱器、靜電夾盤(pán)等。

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氮化硅

氮化硅(Si3N4)是斷裂韌性高、耐熱沖擊性強(qiáng)、高耐磨耗性、高機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕的材料。可應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備的平臺(tái)、軸承等部件。

 

 

氧化釔

氧化釔(Y2O3)為立方結(jié)構(gòu),熔點(diǎn)高,化學(xué)和光化學(xué)穩(wěn)定性好,光學(xué)透明性范圍較寬,聲子能量低,容易實(shí)現(xiàn)稀土離子的摻雜具有卓越的等離子體抗性,對(duì)于務(wù)必避免顆粒污染的半導(dǎo)體加工設(shè)備應(yīng)用而言是理想之選,因?yàn)樗芙档驮O(shè)備維護(hù)要求,從而提高生產(chǎn)力。氧化釔目前主要用途用在刻蝕陶瓷環(huán)等


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